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IRF7503TR
器件3D模型
1.071
IRF7503TR 数据手册 (8 页)
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IRF7503TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
2.40 A
封装
TSSOP-8
漏源极电阻
135 mΩ (max)
极性
Dual N-Channel
功耗
1.25 W
零部件系列
IRF7503
漏源极电压(Vds)
30 V
漏源击穿电压
30.0V (min)
连续漏极电流(Ids)
2.40 A
上升时间
10.0 ns
输入电容值(Ciss)
210pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W

IRF7503TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

IRF7503TR 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
8 页 / 0.11 MByte

IRF7503 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(ON) = 0.135ohm ) Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7503TRPBF.  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, MICRO8, 整卷
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRF7503PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 2.4 A, 30 V, 135 mohm, 10 V, 1 V
Infineon(英飞凌)
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