￥ 0

IRFB23N20D 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFB23N20D 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 9 页 10 页

IRFB23N20D 数据手册 (12 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFB23N20D 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

200 V

额定电流

24.0 A

封装

TO-220-3

极性

N-Channel

功耗

3.8W (Ta), 170W (Tc)

零部件系列

IRFB23N20D

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

24.0 A

上升时间

32.0 ns

输入电容值(Ciss)

1960pF @25V(Vds)

耗散功率(Max)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

查看数据手册 >

IRFB23N20D 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IRFB23N20D 符合标准

IRFB23N20D 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.14 MByte

IRFB23N20D 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRFB23N20D 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IRFB23N20D 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRFB23N20 数据手册

IRFB23N20DPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IRFB23N20DPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 200 V, 100 mohm, 10 V, 5.5 V

IRFB23N20DPBF 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFB23N20DPBF 管装

IRFB23N20D 数据手册

Infineon（英飞凌）

IRFB23N20D 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFB23N20D 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 200V ， RDS（ON）最大值= 0.10ohm ，ID = 24A ） Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号