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器件3D模型
¥ 31
LET9045STR 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
PowerSO-10RF
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
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LET9045STR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
960 MHz
引脚数
3 Pin
封装
PowerSO-10RF
通道数
1 Channel
功耗
79 W
漏源击穿电压
80 V
输出功率
45 W
增益
18.5 dB
测试电流
300 mA
输入电容值(Ciss)
59pF @28V(Vds)
工作温度(Max)
165 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
79000 mW
额定电压
80 V
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LET9045STR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
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LET9045STR 符合标准
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LET9045STR
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS LET9045F 晶体管, 射频FET, 80 V, 9 A, 108 W, 1 GHz, M250
LET9045
S
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
在塑料包装射频功率晶体管LDMOS增强技术 RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package
LET9045
C
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ST Microelectronics(意法半导体)
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STR
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ST Microelectronics(意法半导体)
LET9045
TR
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 45W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR in PSO-10RF plastic package
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