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IRFB33N15DPBF
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IRFB33N15DPBF 数据手册 (12 页)
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IRFB33N15DPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
150 V
额定电流
33.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
56 mΩ
极性
N-Channel
功耗
3.8 W
零部件系列
IRFB33N15D
阈值电压
5.5 V
输入电容
2020pF @120V
漏源极电压(Vds)
150 V
漏源击穿电压
150 V
连续漏极电流(Ids)
33.0 A
上升时间
38.0 ns
输入电容值(Ciss)
2020pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3.8 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

IRFB33N15DPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.54 mm
高度
15.24 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

IRFB33N15DPBF 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
12 页 / 0.3 MByte
International Rectifier(国际整流器)
20 页 / 2.6 MByte
International Rectifier(国际整流器)
5 页 / 0.04 MByte

IRFB33N15 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRFB33N15DPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 56 mohm, 10 V, 5.5 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
Infineon(英飞凌)
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 150V , RDS(ON)最大值= 0.056ohm ,ID = 33A ) Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
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