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STB19NM65N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB19NM65N 数据手册 (19 页)

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STB19NM65N 数据手册 (19 页)

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STB19NM65N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

150W (Tc)

漏源极电压(Vds)

650 V

输入电容值(Ciss)

1900pF @50V(Vds)

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STB19NM65N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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STB19NM65N 符合标准

STB19NM65N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STB19NM65 数据手册

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