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IRFBC20PBF
0.152
IRFBC20PBF 数据手册 (9 页)
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IRFBC20PBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
漏源极电阻
4.4 Ω
功耗
50W (Tc)
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
600 V
输入电容值(Ciss)
350pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
50W (Tc)

IRFBC20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
长度
10.41 mm
宽度
4.7 mm
高度
15.49 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRFBC20PBF 数据手册

Vishay Siliconix
9 页 / 1.6 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 1.6 MByte

IRFBC20 数据手册

International Rectifier(国际整流器)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 4.4ohm ,ID = 2.2A ) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFBC20PBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 50W, TO-220AB
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
International Rectifier(国际整流器)
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