￥ 0.379

IRFBC20PBF 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

功率MOSFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IRFBC20PBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

IRFBC20PBF 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IRFBC20PBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

4.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

50 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

2.20 A

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50 W

查看数据手册 >

IRFBC20PBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

9.01 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

查看数据手册 >

IRFBC20PBF 符合标准

IRFBC20PBF 概述

IRFBC20PBF 数据手册

VISHAY（威世）

9 页 / 1.6 MByte

IRFBC20PBF 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 1.6 MByte

IRFBC20 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

IRFBC20 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFBC20 数据手册

Vishay Siliconix

IRFBC20 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFBC20 数据手册

IRF

功率MOSFET （ VDSS = 600V ， RDS（ON） = 4.4ohm ，ID = 2.2A ） Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)

IRFBC20PBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFBC20SPBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFBC20PBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRFBC20PBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 50W, TO-220AB

IRFBC20STRLPBF 数据手册

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

IRFBC20L 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号