Web Analytics
Datasheet 搜索 > VISHAY(威世) > IRFI830G Datasheet 文档
IRFI830G
0
IRFI830G 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IRFI830G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
1.5 Ω
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
3.1A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
610pF @25V(Vds)
下降时间
16 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
35000 mW

IRFI830G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
50

IRFI830G 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.5 MByte

IRFI830 数据手册

VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFI830GPBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.1 A, 500 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 V
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Siliconix
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Intertechnology
International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 500V 4.5A
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z