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IRFPC60LC
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IRFPC60LC 数据手册 (8 页)
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IRFPC60LC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
16A
上升时间
57 ns
输入电容值(Ciss)
3500pF @25V(Vds)
下降时间
38 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
280000 mW

IRFPC60LC 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 1.42 MByte
VISHAY(威世)
11 页 / 0.45 MByte

IRFPC60 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
IRF
功率MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(ON) = 0.40ohm ,ID = 16A) Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.40ohm, Id=16A)
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
VISHAY(威世)
功率MOSFET Power MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  IRFPC60PBF  场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
International Rectifier(国际整流器)
Vishay Siliconix
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