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IRFI9530GPBF 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

VISHAY IRFI9530GPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 7.7 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRFI9530GPBF 数据手册 (9 页)

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IRFI9530GPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-100 V

额定电流

-7.70 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.3 Ω

极性

P-Channel

功耗

38 W

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

-100 V

连续漏极电流(Ids)

-7.70 A

上升时间

52.0 ns

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

860pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

42 W

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IRFI9530GPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

长度

10.63 mm

宽度

4.7 mm

高度

16.12 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IRFI9530GPBF 符合标准

IRFI9530GPBF 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.53 MByte

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