￥ 35.43

STE40NK90ZD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

ISOTOP-4

描述:

N沟道900V - 0.14 - 40 A ISOTOP超级FREDMeshTM MOSFET N-CHANNEL 900V - 0.14 - 40 A ISOTOP Super FREDMeshTM MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STE40NK90ZD 数据手册 (13 页)

封装尺寸在10 页 11 页

STE40NK90ZD 数据手册 (13 页)

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STE40NK90ZD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

900 V

额定电流

40.0 A

封装

ISOTOP-4

额定功率

600 W

漏源极电阻

180 mΩ

极性

N-Channel

功耗

600 W

漏源极电压(Vds)

900 V

漏源击穿电压

900 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

102 ns

输入电容值(Ciss)

25000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

600 W

下降时间

200 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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STE40NK90ZD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.5 mm

高度

9.1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃ (TJ)

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STE40NK90ZD 符合标准

STE40NK90ZD 概述