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IXFH40N50Q2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFH40N50Q2 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFH40N50Q2 数据手册 (5 页)

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IXFH40N50Q2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.14 Ω

极性

N-Channel

功耗

500 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

40.0 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

4850pF @25V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

560W (Tc)

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IXFH40N50Q2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

重量

6.00 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFH40N50Q2 符合标准

IXFH40N50Q2 概述

IXFH40N50Q2 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.14 MByte

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2 页 / 0.02 MByte

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