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IXZ210N50L
28.804
IXZ210N50L 数据手册 (9 页)
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IXZ210N50L 技术参数、封装参数

类型
描述
频率
175 MHz
引脚数
6 Pin
封装
DE-275
针脚数
6 Position
极性
N-Channel
功耗
470 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 A
上升时间
3 ns
输出功率
200 W
增益
16 dB
输入电容值(Ciss)
622pF @400V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
10000 mW
额定电压
500 V

IXZ210N50L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

IXZ210N50L 数据手册

IXYS Semiconductor
9 页 / 0.24 MByte

IXZ210N50 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS RF  IXZ210N50L  晶体管, 射频FET, 500 V, 10 A, 470 W, 175 MHz, DE-275
IXYS Semiconductor
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