￥ 25.233

IXFN200N10P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN200N10P 数据手册 (5 页)

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IXFN200N10P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

N-Channel

功耗

680 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

200 A

上升时间

35 ns

反向恢复时间

150 ns

输入电容值(Ciss)

7600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

680 W

下降时间

90 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

680W (Tc)

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IXFN200N10P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFN200N10P 符合标准

IXFN200N10P 海关信息

IXFN200N10P 概述

IXFN200N10P 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.08 MByte

IXFN200N10P 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

2 页 / 0.68 MByte

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IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V

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