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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Microsemi(美高森美) > 2N3637UB Datasheet 文档
2N3637UB
12.619
2N3637UB 数据手册 (5 页)
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2N3637UB 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SMD-3
极性
PNP
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
175 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
100 @50mA, 10V
额定功率(Max)
1.5 W
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

2N3637UB 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
3.25 mm
宽度
2.74 mm
高度
1.8 mm
工作温度
-65℃ ~ 200℃ (TJ)

2N3637UB 数据手册

Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.16 MByte

2N3637 数据手册

Microsemi(美高森美)
PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
Multicomp
MULTICOMP  2N3637  单晶体管 双极, PNP, -175 V, 200 MHz, 5 W, 1 A, 50 hFE
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