￥ 31.123

IXFN230N20T 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXFN 系列单通道 N 沟道 200 Vds 7.5 mOhm 1090 W 功率 MOSFET - SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN230N20T 数据手册 (6 页)

IXFN230N20T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

1090 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

220A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

28000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1090 W

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1090W (Tc)

查看数据手册 >

IXFN230N20T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

宽度

25.42 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IXFN230N20T 符合标准

IXFN230N20T 数据手册

IXYS Semiconductor

6 页 / 0.11 MByte

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