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IXTN46N50L
101.644
IXTN46N50L 数据手册 (5 页)
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IXTN46N50L 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227-4
极性
N-CH
功耗
700 W
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
46A
上升时间
50 ns
输入电容值(Ciss)
7000pF @25V(Vds)
下降时间
42 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
700000 mW

IXTN46N50L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
38.2 mm
宽度
25.07 mm
高度
9.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTN46N50L 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.08 MByte

IXTN46N50 数据手册

IXYS Semiconductor
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear seriesN-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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