IXFN34N100

￥ 46.821

IXFN34N100 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN34N100 数据手册 (4 页)

IXFN34N100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

280 mΩ

极性

N-CH

功耗

700 W

漏源极电压(Vds)

1000 V

漏源击穿电压

1000 V

连续漏极电流(Ids)

34A

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

9200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

700W (Tc)

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IXFN34N100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN34N100 符合标准

IXFN34N100 数据手册

IXFN34N100 数据手册

IXYS Semiconductor

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