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IXTN200N10T
34.615
IXTN200N10T 数据手册 (6 页)
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IXTN200N10T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-227-4
通道数
1 Channel
功耗
550 W
漏源极电压(Vds)
100 V
输入电容值(Ciss)
9400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
550W (Tc)

IXTN200N10T 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
宽度
25.07 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

IXTN200N10T 数据手册

IXYS Semiconductor
6 页 / 0.16 MByte
IXYS Semiconductor
5 页 / 0.16 MByte

IXTN200N10 数据手册

IXYS Semiconductor
底座安装 N 通道 100V 178A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
IXYS Semiconductor
N沟道 100V 200A
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