IXFR120N20

￥ 17.444

IXFR120N20 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道 200V 105A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFR120N20 数据手册 (2 页)

IXFR120N20 数据手册 (2 页)

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IXFR120N20 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

105 A

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

17.0 mΩ

极性

N-CH

功耗

417 W

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

105 A

上升时间

65 ns

输入电容值(Ciss)

9100pF @25V(Vds)

下降时间

35 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

417W (Tc)

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IXFR120N20 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

材质

Silicon

宽度

5.21 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFR120N20 符合标准

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