IXFB40N110P

￥ 42.163

IXFB40N110P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

PLUS-264-3

描述:

N沟道 1.1kV 40A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFB40N110P 数据手册 (5 页)

IXFB40N110P 数据手册 (5 页)

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IXFB40N110P 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

PLUS-264-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

260 mΩ

极性

N-CH

功耗

1.25 kW

漏源极电压(Vds)

1100 V

漏源击穿电压

1100 V

连续漏极电流(Ids)

40A

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

19000pF @25V(Vds)

下降时间

54 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

1250W (Tc)

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IXFB40N110P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

20.29 mm

宽度

5.31 mm

高度

26.59 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFB40N110P 符合标准

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4 页 / 0.11 MByte

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