￥ 17.582

IXFR90N30 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXFR 系列单通道 N 沟道 300 V 33 mOhm 400 W 功率 Mosfet - ISOPLUS247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFR90N30 数据手册 (3 页)

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IXFR90N30 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

417W (Tc)

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

300 V

连续漏极电流(Ids)

75A

上升时间

55 ns

输入电容值(Ciss)

10000pF @25V(Vds)

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

417W (Tc)

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IXFR90N30 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

宽度

5.21 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFR90N30 符合标准

IXFR90N30 概述

IXFR90N30 数据手册

IXYS Semiconductor

3 页 / 0.11 MByte

IXFR90N30 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

3 页 / 0.32 MByte

IXFR90 数据手册

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