￥ 9.617

IXTH80N20L 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

IXTH80N20L 系列 200 V 80 A N-沟道功率 Mosfet - TO-247-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXTH80N20L 数据手册 (5 页)

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IXTH80N20L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

漏源极电阻

32 mΩ

极性

N-CH

功耗

520 W

输入电容

616 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

漏源击穿电压

200 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

44 ns

输入电容值(Ciss)

6160pF @25V(Vds)

下降时间

29 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

520W (Tc)

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IXTH80N20L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTH80N20L 符合标准

IXTH80N20L 概述

IXTH80N20L 数据手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.12 MByte

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