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IXTH75N15
7.319
IXTH75N15 数据手册 (5 页)
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IXTH75N15 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
极性
N-CH
功耗
330W (Tc)
漏源极电压(Vds)
150 V
连续漏极电流(Ids)
75A
输入电容值(Ciss)
5400pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
330W (Tc)

IXTH75N15 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IXTH75N15 数据手册

IXYS Semiconductor
5 页 / 0.56 MByte
IXYS Semiconductor
6 页 / 0.1 MByte

IXTH75 数据手册

IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR  IXTH75N10  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
IXYS Semiconductor
N沟道 100V 75A
IXYS Semiconductor
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