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IXFN56N90P 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXFN 系列单通道 N 沟道 900 Vds 135 mOhm 1000 W 功率 MOSFET - SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXFN56N90P 数据手册 (4 页)

IXFN56N90P 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

1000 W

阈值电压

3.5V ~ 6.5V

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

56A

上升时间

80 ns

输入电容值(Ciss)

23000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1000 W

下降时间

38 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1000W (Tc)

查看数据手册 >

IXFN56N90P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXFN56N90P 符合标准

IXFN56N90P 概述

IXFN56N90P 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.11 MByte

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