IXTN90N25L2

￥ 38.215

IXTN90N25L2 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IXTN90N25L2 数据手册 (5 页)

IXTN90N25L2 数据手册 (5 页)

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IXTN90N25L2 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

33 mΩ

极性

N-CH

功耗

735 W

漏源极电压(Vds)

250 V

漏源击穿电压

250 V

连续漏极电流(Ids)

90A

上升时间

175 ns

输入电容值(Ciss)

23000pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

735 W

下降时间

160 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

735W (Tc)

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IXTN90N25L2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXTN90N25L2 符合标准

IXTN90N25L2 概述

IXTN90N25L2 数据手册

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IXYS Semiconductor

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IXTN90N25L2 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

5 页 / 0.16 MByte

IXTN90N25 数据手册

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