器件3D模型

￥ 0.018

MMBD352WT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

RF二极管

封装:

SC-70-3

描述:

MMBD352WT1 系列 7 V 10 uA 表面贴装双肖特基势垒二极管 - SC-70

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBD352WT1G 数据手册 (3 页)

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MMBD352WT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

7.00 V

额定电流

80.0 mA

电容

0.9 pF

封装

SC-70-3

无卤素状态

Halogen Free

正向电压

0.6 V

功耗

300 mW

正向电流

0.01 A

正向电压(Max)

600 mV

正向电流(Max)

10 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

200 mW

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MMBD352WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.1 mm

宽度

1.24 mm

高度

0.85 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBD352WT1G 符合标准

MMBD352WT1G 海关信息

MMBD352WT1G 概述

MMBD352WT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.08 MByte

MMBD352WT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

15 页 / 0.09 MByte

MMBD352WT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

MMBD352WT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

3 页 / 0.11 MByte

MMBD352WT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双肖特基势垒二极管 Dual Shottky Barrier Diode

Leshan Radio（乐山无线电）

Motorola（摩托罗拉）

Won-Top Electronics

ON Semiconductor（安森美）

MMBD352WT1 系列 7 V 10 uA 表面贴装双肖特基势垒二极管 - SC-70

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