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STP11NM60FP 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP11NM60FP 数据手册 (16 页)

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STP11NM60FP 数据手册 (16 页)

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STP11NM60FP 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

650 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

450 mΩ

极性

N-Channel

功耗

35 W

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

1000pF @25V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

35 W

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STP11NM60FP 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

9.3 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STP11NM60FP 符合标准

STP11NM60FP 概述

STP11NM60FP 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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N沟道600V - 0.40OHM - 11A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK FDmesh TM功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.40OHM - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh TM Power MOSFET (with fast diode)

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N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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N沟道600V - 0.4ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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N沟道600V - 0.4ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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