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MRFE6VP8600HSR6 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

晶体管

封装:

NI-1230S

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

MRFE6VP8600HSR6 数据手册 (14 页)

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MRFE6VP8600HSR6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

860 MHz

引脚数

5 Pin

封装

NI-1230S

无卤素状态

Halogen Free

功耗

1.52 kW

输出功率

125 W

增益

19.3 dB

测试电流

1.4 A

工作温度(Max)

150 ℃

额定电压

130 V

MRFE6VP8600HSR6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

MRFE6VP8600HSR6 符合标准

MRFE6VP8600HSR6 数据手册

MRFE6VP8600HSR6 产品设计参考手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.56 MByte

MRFE6VP8600HSR6 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

21 页 / 1.22 MByte

MRFE6VP8600HSR6 开发手册

NXP（恩智浦）

21 页 / 1.18 MByte

MRFE6VP8600 数据手册

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NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 130 V, 1.052 kW, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

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