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MRFE6VP8600HSR6 产品设计参考手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

晶体管

封装:

NI-1230S

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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焊接温度在P10

技术参数、封装参数在P1

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MRFE6VP8600HSR6 数据手册

MRFE6VP8600HSR6 产品设计参考手册

NXP（恩智浦）

14 页 / 0.56 MByte

MRFE6VP8600HSR6 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

21 页 / 1.22 MByte

MRFE6VP8600HSR6 开发手册

NXP（恩智浦）

21 页 / 1.18 MByte

MRFE6VP8600 数据手册

MRFE6VP8600HR5 数据手册

NXP（恩智浦）

晶体管, 射频FET, 130 V, 1.052 kW, 860 MHz, 470 MHz, NI-1230

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