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MRFX1K80H 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

NI-1230H

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

Pictures:

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符号图

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MRFX1K80H 数据手册 (7 页)

原理图在3 页 5 页

MRFX1K80H 数据手册 (7 页)

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MRFX1K80H 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

NI-1230H

功耗

2247 W

输出功率

1.8 kW

增益

25.1 dB

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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MRFX1K80H 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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