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MRFX1K80H 开发手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

NI-1230H

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V

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MRFX1K80H 数据手册

NXP（恩智浦）

7 页 / 0.16 MByte

MRFX1K80H 产品设计参考手册

NXP（恩智浦）

48 页 / 2.85 MByte

MRFX1K80H 开发手册

NXP（恩智浦）

22 页 / 1.16 MByte

MRFX1K80H 产品封装文件

NXP（恩智浦）

2 页 / 0.04 MByte

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晶体管, 射频FET, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G

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