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NDD03N80ZT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

功率MOSFET,800V,2.9A,4.5Ω,单N沟道

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NDD03N80ZT4G 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页 8 页

NDD03N80ZT4G 数据手册 (8 页)

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NDD03N80ZT4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

3.7 Ω

极性

N-Channel

功耗

96 W

阈值电压

4.1 V

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

连续漏极电流(Ids)

2.9A

上升时间

7 ns

输入电容值(Ciss)

440pF @25V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

96W (Tc)

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NDD03N80ZT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NDD03N80ZT4G 符合标准

NDD03N80ZT4G 概述

NDD03N80ZT4G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.11 MByte

NDD03N80ZT4G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.36 MByte

NDD03N80ZT4 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET,800V,2.9A,4.5Ω,单N沟道

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