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RV2C010UNT2L 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

VML-1006

描述:

ROHM RV2C010UNT2L 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RV2C010UNT2L 数据手册 (13 页)

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RV2C010UNT2L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

VML-1006

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.34 Ω

极性

N-Channel

功耗

400 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

20 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

40pF @10V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

400mW (Ta)

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RV2C010UNT2L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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RV2C010UNT2L 符合标准

RV2C010UNT2L 海关信息

RV2C010UNT2L 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

13 页 / 2.37 MByte

RV2C010UNT2L 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

12 页 / 2.37 MByte

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RV2C010UNT2L 数据手册

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