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NDF04N60ZG
0.01
NDF04N60ZG 数据手册 (9 页)
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NDF04N60ZG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.8 Ω
极性
N-Channel
功耗
30 W
阈值电压
3.9 V
漏源极电压(Vds)
600 V
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
640pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
30 W
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
30W (Tc)

NDF04N60ZG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.63 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.12 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

NDF04N60ZG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.13 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.28 MByte

NDF04N60 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
N 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
单N沟道功率MOSFET,600V,4.8A,2.0Ω
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor(安森美)
N沟道功率MOSFET 1.8 ? , 600伏 N-Channel Power MOSFET 1.8 , 600 Volts
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