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NP100P06PDG-E1-AY 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

P沟道 60V 100A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NP100P06PDG-E1-AY 数据手册 (9 页)

封装尺寸在8 页

NP100P06PDG-E1-AY 数据手册 (9 页)

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NP100P06PDG-E1-AY 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

1.8 W

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

15000pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

1.8 W

下降时间

100 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.8W (Ta), 200W (Tc)

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NP100P06PDG-E1-AY 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

175℃ (TJ)

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NP100P06PDG-E1-AY 符合标准

NP100P06PDG-E1-AY 概述

NP100P06PDG-E1-AY 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

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NP100P06PDGE1 数据手册

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