器件3D模型

￥ 0.877

NVMFD5873NLT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

DFN-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 58 A, 60 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NVMFD5873NLT1G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

NVMFD5873NLT1G 数据手册 (6 页)

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NVMFD5873NLT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

DFN-8

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0107 Ω

功耗

3.1 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

60 V

输入电容值(Ciss)

1560pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.1 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3100 mW

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NVMFD5873NLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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NVMFD5873NLT1G 符合标准

NVMFD5873NLT1G 概述

NVMFD5873NLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.07 MByte

NVMFD5873NLT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.14 MByte

NVMFD5873NLT1 数据手册

NVMFD5873NLT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 58 A, 60 V, 0.0107 ohm, 10 V, 2.5 V

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