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NTD12N10 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

12A,100V逻辑电平的功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTD12N10 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页 8 页

典型应用电路图在1 页

NTD12N10 数据手册 (8 页)

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NTD12N10 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

12.0 A

封装

TO-252

漏源极电阻

165 mΩ

极性

N-Channel

功耗

56.6 W

输入电容

550 pF

栅电荷

20.0 nC

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

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NTD12N10 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

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NTD12N10 符合标准

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ON Semiconductor（安森美）

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