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NTD12N10-1 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

IPAK

描述:

功率MOSFET 12安培， 100伏特N沟道增强模式DPAK Power MOSFET 12 Amps, 100 Volts N−Channel Enhancement−Mode DPAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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NTD12N10-1 数据手册 (8 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在7 页 8 页

典型应用电路图在1 页

NTD12N10-1 数据手册 (8 页)

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NTD12N10-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

IPAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

12A

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NTD12N10-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

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NTD12N10-1 符合标准

NTD12N10-1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

8 页 / 0.15 MByte

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