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NTD20P06L-1
0.262
NTD20P06L-1 数据手册 (7 页)
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NTD20P06L-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
IPAK
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
15.5A

NTD20P06L-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

NTD20P06L-1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.14 MByte

NTD20P06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
-60V,-15.5A功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -15.5 A单P沟道, DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -15.5 A单P沟道, DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -15.5 A单P沟道, DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
ON Semiconductor(安森美)
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