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NTD20P06L
0.275
NTD20P06L 数据手册 (8 页)
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NTD20P06L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-15.5 A
封装
TO-252
漏源极电阻
130 mΩ
极性
P-Channel
功耗
65.0 W
阈值电压
2 V
输入电容
1.19 nF
栅电荷
26.0 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
15.5 A

NTD20P06L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
最小包装数量
2500

NTD20P06L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.11 MByte

NTD20P06 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  NTD20P06LT4G.  场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 15.5A D-PAK
ON Semiconductor(安森美)
-60V,-15.5A功率MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -15.5 A单P沟道, DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
ON Semiconductor(安森美)
P 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -15.5 A单P沟道, DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET -60 V, -15.5 A单P沟道, DPAK Power MOSFET −60 V, −15.5 A, Single P−Channel, DPAK
ON Semiconductor(安森美)
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