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PDTB113ZT 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23

描述:

NXP PDTB113ZT 单晶体管双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDTB113ZT 数据手册 (4 页)

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PDTB113ZT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23

针脚数

3 Position

极性

PNP

功耗

250 mW

击穿电压(集电极-发射极)

50 V

集电极最大允许电流

500mA

最小电流放大倍数

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

PDTB113ZT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

3 mm

宽度

1.4 mm

高度

1 mm

工作温度

-65℃ ~ 150℃

PDTB113ZT 符合标准

PDTB113ZT 数据手册

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