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STP11NM60FD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STP11NM60FD 数据手册 (17 页)

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STP11NM60FD 数据手册 (17 页)

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STP11NM60FD 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.4 Ω

极性

N-Channel

功耗

160 W

阈值电压

4 V

输入电容

900 pF

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

900pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

160 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

160W (Tc)

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STP11NM60FD 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

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STP11NM60FD 符合标准

STP11NM60FD 海关信息

STP11NM60FD 概述

STP11NM60FD 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.47 MByte

STP11NM60FD 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

21 页 / 0.6 MByte

STP11NM60FD 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.04 MByte

STP11NM60FD 其他参考文件

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.12 MByte

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N沟道600V - 0.40OHM - 11A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK FDmesh TM功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 600V - 0.40OHM - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmesh TM Power MOSFET (with fast diode)

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N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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N沟道600V - 0.4ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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N沟道600V - 0.37ohm -10A - TO- 220 ， TO- 220FP- IPAK - DPAK第二代的MDmesh功率MOSFET N-channel 600V-0.37ohm-10A-TO-220-TO-220FP- IPAK-DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET

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N沟道650V TJMAX - 0.4OHM - 11A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK的MDmesh功率MOSFET N-channel 650V TJmax - 0.4OHM - 11A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh Power MOSFET

STP11NM60AFP 数据手册

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N沟道600V - 0.4ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

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