PH5525L

￥ 0

PH5525L 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

SOT-669

描述:

N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET N-channel TrenchMOS logic level FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PH5525L 数据手册

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PH5525L 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-669

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

25 V

连续漏极电流(Ids)

81.7A

输入电容值(Ciss)

2150pF @12V(Vds)

额定功率(Max)

62.5 W

PH5525L 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PH5525L 符合标准

PH5525 数据手册

PH5525L,115 数据手册

NXP（恩智浦）

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