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PSMN2R7-30BL
0.88
PSMN2R7-30BL 数据手册 (15 页)
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PSMN2R7-30BL 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
D2PAK
极性
N-Channel
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
100A

PSMN2R7-30BL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

PSMN2R7-30BL 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.22 MByte

PSMN2R730 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  PSMN2R7-30PL  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 2.3 mohm, 10 V, 1.7 V
Nexperia(安世)
Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R7-30PL,127, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
Nexperia(安世)
N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=100A P=170W
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
PSMN2R 系列 30 V 2.7 mΩ 逻辑电平 170 N-沟道 Mosfet - TO-220AB
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
N 通道 MOSFET,高达 30V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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