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PSMN2R7-30BL,118 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PSMN2R7-30BL,118 数据手册 (15 页)

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PSMN2R7-30BL,118 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

170W (Tc)

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

82 ns

输入电容值(Ciss)

3954pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

170 W

下降时间

35 ns

耗散功率(Max)

170W (Tc)

PSMN2R7-30BL,118 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

PSMN2R7-30BL,118 符合标准

PSMN2R7-30BL,118 数据手册

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