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QS5U28TR
0.107
QS5U28TR 数据手册 (11 页)
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QS5U28TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
额定电压(DC)
-20.0 V
额定电流
-2.00 A
封装
TSOT-23-5
通道数
1 Channel
漏源极电阻
125 mΩ
极性
P-Channel
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
20 V
漏源击穿电压
20 V
连续漏极电流(Ids)
2.00 A
上升时间
16 ns
输入电容值(Ciss)
450pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
900 mW
下降时间
15 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
1.25W (Ta)

QS5U28TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.9 mm
宽度
1.6 mm
高度
0.85 mm
工作温度
150℃ (TJ)

QS5U28TR 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
11 页 / 1.39 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
11 页 / 0.9 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
1 页 / 0.14 MByte

QS5U28 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
QS5U28 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -2A 1A 0.45V SOT-153/SOT23-5/TSMT5 marking/标记 U28 DC-DC转换器/低导通电阻/高速开关/低正向电压
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
P 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM
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