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STB40N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

600V,34A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB40N60M2 数据手册 (22 页)

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STB40N60M2 数据手册 (22 页)

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STB40N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

88 mΩ

极性

N-CH

功耗

250 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

34A

上升时间

13.5 ns

输入电容值(Ciss)

2500pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

250 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

250W (Tc)

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STB40N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STB40N60M2 符合标准

STB40N60M2 概述

STB40N60M2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.07 MByte

STB40N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.55 MByte

STB40N60 数据手册

STB40N60M2 数据手册

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600V,34A,N沟道功率MOSFET

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