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RSQ035P03
0.103
RSQ035P03 数据手册 (5 页)
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RSQ035P03 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-163
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
3.5A

RSQ035P03 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.11 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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RSQ035 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
P 沟道 1.25 W -30 V 95 mOhm 表面贴装 4 V 驱动 MosFet - TSMT-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RSQ035P03 P沟道MOS场效应管 -30V -3.5A 95毫欧 SOT-163 marking/标记 TM 低导通电阻 高速开关 低电压驱动
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSQ035N03FRATR  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 2.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  RSQ035P03FRATR  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.045 ohm, -10 V, -2.5 V 新
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RSQ035N03 N沟道MOSFET 30V 3.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QN 低导通电阻/高速开关/低阈值
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 3 V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
4V驱动N沟道MOS FET特点1)低导通电阻。2)节省空间,小的表面贴装封装。应用开关
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