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RSU002P03T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-323-3

描述:

4V驱动P沟道MOSFET 4V Drive Pch MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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RSU002P03T106 数据手册 (8 页)

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RSU002P03T106 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-200 mA

封装

SOT-323-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

1.60 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.2 W

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

200 mA

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

30pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

200 mW

下降时间

40 ns

耗散功率(Max)

200 mW

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RSU002P03T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2 mm

宽度

1.25 mm

高度

0.8 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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RSU002P03T106 符合标准

RSU002P03T106 海关信息

RSU002P03T106 概述

RSU002P03T106 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 1.3 MByte

RSU002P03T106 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

8 页 / 1.61 MByte

RSU002P03T106 其他参考文件

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

1 页 / 0.14 MByte

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